APTC60HM70RT3G
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 3.9V @ 2.7mA |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 600V |
| 最大功率 | 250W |
| 封装 / 外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 39A |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 70mOhm @ 39A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| 配置 | 4 N-Channel (Full Bridge) + Bridge Rectifier |