FF06MR12A04MA2AKSA1
产品属性
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 最大功率 | 20mW |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 190A |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 5.56mOhm @ 190A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4.55V @ 60mA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 420nC @ 18V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 10100pF @ 850V |
| 封装 / 外壳 | 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm) |
| 供应商器件封装 | PG-MDIP-11-1 |