FF4MR12W2M1HB70BPSA1
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 供应商器件封装 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 封装 / 外壳 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 最大功率 | - |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 200A |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 5.15V @ 80mA |
| 场效应晶体管特性 | Silicon Carbide (SiC) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 4mOhm @ 200A, 18V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 594nC @ 18V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 17600pF @ 800V |