H5N2505DSTL-E
H5N2505DSTL-E是Renesas Electronics Corporation的电子元器件型号，属于单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管。规格：NCH POWER MOSFET 250V 5A 890MOHM。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。
现货供应哪些器件？
Apex-Chip electronics Co.Ltd的现货包括集成电路（IC）、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格，确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。
如何按料号询价？
先打开型号页，用料号核对品牌、封装和电气规格，确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单，一次列清清单。
是否支持 BOM 配单？
支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后，我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目，并回复可交付数量，以及需要订货的项目。
产品属性
| 零件状态 | Last Time Buy |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 工作温度 | 150°C |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 250 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| 封装 / 外壳 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 4.5V @ 1mA |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| 最大栅源电压 | ±30V |
| 最大功耗 | 25W (Tc) |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 890mOhm @ 2.5A, 10V |