HAT1126RJ-EL-E
产品属性
| 零件状态 | Last Time Buy |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | 150°C |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 60V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 50mOhm @ 3A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 2300pF @ 10V |
| 最大功率 | 3W (Ta) |