IMSQ120R026M2HHXUMA1

零件编号:
IMSQ120R026M2HHXUMA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
SIC DISCRETE
规格书:
-

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 83A (Tc)
配置 2 N-Channel (Half Bridge)
技术 Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 5.1V @ 8.6mA
最大功率 410W (Tc)