MSCM20XM10T3XG
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 封装 / 外壳 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 5V @ 250µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TC) |
| 配置 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 200V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 108A (Tc) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 161nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 10700pF @ 50V |
| 最大功率 | 341W (Tc) |
| 供应商器件封装 | SP3X |