MV2N5116UB/TR
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 最大功率 | 500 mW |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30 V |
| 等级 | Military |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 封装 / 外壳 | 3-SMD, No Lead |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30 V |
| 漏极电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| 电压 - 截止 (VGS关断) @ Id | 1 V @ 1 nA |
| 认证 | MIL-PRF-19500 |
| 供应商器件封装 | UB |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 27pF @ 15V |
| 电阻 - 导通电阻 (RDS(On)) | 175 Ohms |