Дистрибуция электронных компонентов
MG12200D-BN2MM
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
Номер компонента:
MG12200D-BN2MM
Альтернативная модель:
FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Wickmann / Littelfuse
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
РОХС:
YES
MG12200D-BN2MM Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет/кейс:
Module
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
НТЦ-термистор:
No
Ток-отсечка коллектора (макс.):
1 mA
Конфигурация:
Half Bridge
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
290 A
Мощность - Макс.:
1050 W
Входная емкость (Cies) при Vce:
14 nF @ 25 V
Пакет устройств поставщика:
D3
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 200A (Typ)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
50
137.75
6887.5
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.