Дистрибуция электронных компонентов
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Номер компонента:
FQD7N20LTM
Альтернативная модель:
NCV890430MW50TXG,DMN10H170SK3-13,P0102DN 5AA4,FQB5N90TM,FDB1D7N10CL7,FQD6N40CTM,STD5N20LT4,FQD13N10LTM,FQP6N80C,MBRS3201T3G,FCP099N65S3,NCV8501D50R2G,MBRS4201T3G,STD6NF10T4,1SMB5924BT3G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
РОХС:
YES
FQD7N20LTM Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-252AA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
5V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
5.5A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
500 pF @ 25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
9 nC @ 5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 2.75A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.35
875
5000
0.33
1650
12500
0.31
3875
25000
0.31
7750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.