Дистрибуция электронных компонентов
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Номер компонента:
BSC031N06NS3GATMA1
Альтернативная модель:
LT4320IMSE#TRPBF,RN2110MFV,L3F,BSC027N06LS5ATMA1,LT4320IMSE#PBF,IPB036N12N3GATMA1,BSC028N06NSATMA1,BSC028N06LS3GATMA1,BSC220N20NSFDATMA1,NCV7344D10R2G,BSC070N10NS3GATMA1,BSC034N06NSATMA1,ALT80800KLPATR,AZ1117CR-5.0TRG1,IDK10G65C5XTMA2,PJ-002AH-SMT-TR,IRS10752LTRPBF,1EDI60N12AFXUMA1,1ED44173N01BXTSA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED2184S06FXUMA1,2ED24427N01FXUMA1,2EDL23N06PJXUMA1,2ED2110S06MXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
РОХС:
YES
BSC031N06NS3GATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
130 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TDSON-8-1
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
11000 pF @ 30 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 93µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7680
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
1.11
5550
10000
1.08
10800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.