Дистрибуция электронных компонентов
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Номер компонента:
BSC100N03MSGATMA1
Альтернативная модель:
68000-102HLF,ADA4891-4ARZ-R7,MCP6021T-E/OT,DG419LEDY-T1-GE4,G12AP,BAT54GWX,OPA354AQDBVRQ1,ADA4891-4ARZ,IRS10752LTRPBF,1ED44173N01BXTSA1,6EDL04N02PRXUMA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,IRS2007STRPBF,2EDF7275KXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
РОХС:
YES
BSC100N03MSGATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 250µA
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TDSON-8-5
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
10mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1700 pF @ 15 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Ta), 44A (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:46036
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.3
1500
10000
0.28
2800
25000
0.28
7000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.