Дистрибуция электронных компонентов
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Номер компонента:
BSC027N04LSGATMA1
Альтернативная модель:
IRS10752LTRPBF,1EDI60N12AFXUMA1,1ED44173N01BXTSA1,IRS2011STRPBF,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,IRS2007STRPBF,2EDL23N06PJXUMA1,BSC018N04LSGATMA1,BSC035N04LSGATMA1,CUS05S40,H3F,BSC010NE2LSIATMA1,BSC022N04LS6ATMA1,BSC074N15NS5ATMA1,1N4148W-TP,BSC093N04LSGATMA1,BSC032N04LSATMA1,BSC030N04NSGATMA1,NVMFS014P04M8LT1G,BSC059N04LSGATMA1,16SEP330M+T,BSC040N10NS5ATMA1,BSC190N15NS3GATMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
РОХС:
YES
BSC027N04LSGATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.7mOhm @ 50A, 10V
Пакет устройств поставщика:
PG-TDSON-8-1
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
24A (Ta), 100A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 49µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
6800 pF @ 20 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:58340
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.66
3300
10000
0.63
6300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.