Дистрибуция электронных компонентов
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Номер компонента:
BSC050NE2LSATMA1
Альтернативная модель:
BSC010NE2LSIATMA1,BSC010NE2LSATMA1,CMDSH-3 TR PBFREE,BSZ060NE2LSATMA1,MMST3906-7-F,NXV40UNR,BSC360N15NS3GATMA1,LTC3877IUK#PBF,BLM15AG221SN1D,FT2232HQ-REEL,SI2305CDS-T1-GE3,LTM4705EY#PBF,61300211121,BSC190N15NS3GATMA1,DMN2990UDJQ-7,IRS10752LTRPBF,1EDI60N12AFXUMA1,1ED44173N01BXTSA1,6EDL04N02PRXUMA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED24427N01FXUMA1,IRS2007STRPBF,2EDF7275KXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
РОХС:
YES
BSC050NE2LSATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 250µA
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
25 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TDSON-8-5
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 30A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
10.4 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
39A (Ta), 58A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
760 pF @ 12 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:26620
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.4
2000
10000
0.39
3900
25000
0.39
9750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.