Дистрибуция электронных компонентов
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Номер компонента:
IPB180N04S4H0ATMA1
Альтернативная модель:
AUIR2085STR,TLE9180D31QKXUMA1,AUIRB24427STR,IPB180N04S401ATMA1,MA5332MSXUMA1,IPB100N04S4H2ATMA1,IPB180N04S400ATMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
РОХС:
YES
IPB180N04S4H0ATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 180µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
250W (Tc)
Пакет/кейс:
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
180A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
225 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO263-7-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.1mOhm @ 100A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
17940 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3184
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1000
2.39
2390
2000
2.24
4480
5000
2.16
10800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.