Дистрибуция электронных компонентов
BSC032NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Номер компонента:
BSC032NE2LSATMA1
Альтернативная модель:
BSC010NE2LSIATMA1,SIRA74DP-T1-GE3,NDS331N,BSC050NE2LSATMA1,BSS138,LTC2909IDDB-2.5#TRMPBF,PSMN040-100MSEX,BSC010NE2LSATMA1,PSMN075-100MSEX,SI7232DN-T1-GE3,DML1008LDS-7,TPS2420RSAT,TL3301EF100QG,SI4435DDY-T1-GE3,T525B226M010ATE080,IRS10752LTRPBF,1EDI60N12AFXUMA1,1ED44173N01BXTSA1,6EDL04N02PRXUMA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED24427N01FXUMA1,IRS2007STRPBF,2EDF7275KXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
РОХС:
YES
BSC032NE2LSATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 250µA
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
16 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TDSON-8-6
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
22A (Ta), 84A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.2mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1200 pF @ 12 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:25102
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.41
2050
10000
0.4
4000
25000
0.4
10000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.