Дистрибуция электронных компонентов
FDD3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Номер компонента:
FDD3N40TM
Альтернативная модель:
FQD12N20LTM,NCV896530MWATXG,FDB33N25TM,FDS3590,FGB40T65SPD-F085,FQD6N40CTM,NCV8675DT50RKG,FDD18N20LZ,FQP3P50,NCV7520MWTXG,1SMB5918BT3G,NVD5C688NLT4G,1SMB5924BT3G,FDMS86263P,1SMB5946BT3G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
РОХС:
YES
FDD3N40TM Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение стока к источнику (Vdss):
400 V
Пакет устройств поставщика:
TO-252AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
30W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
6 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.4Ohm @ 1A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
225 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5936
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.3
750
5000
0.29
1450
12500
0.26
3250
25000
0.26
6500
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.