Дистрибуция электронных компонентов
SI2316DS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Номер компонента:
SI2316DS-T1-E3
Альтернативная модель:
M95M01-DFMN6TP,DMG3406L-13,AD8617ARZ-REEL7,T2N7002AK,LM,AO3423,CLP-102-02-F-D-TR,DMG3402L-7,ADCMP391ARZ,DMG3414U-7,LTC3639EMSE#TRPBF,LPS22HHTR,BSH201,215,1N4148,SI2318CDS-T1-GE3,0788640001
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
РОХС:
YES
SI2316DS-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.9A (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
800mV @ 250µA (Min)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 3.4A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
215 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:13331
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.33
990
6000
0.31
1860
9000
0.29
2610
30000
0.29
8700
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.