Дистрибуция электронных компонентов
SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Номер компонента:
SI3442BDV-T1-E3
Альтернативная модель:
AI-1027-TWT-5V-R,DMG1012T-7,RN114-2.5-02-3M3,3296W-1-502LF,MCP98243-BE/ST,LMR51430XDDCR,BQ25628RYKR,1053001200,ECS-80-20-5PX-TR,TPS62840YBGR,B72210S0351K101,EDM450AUSC0 LFG,BCR421UW6-7,36912000000,R-78E5.0-0.5
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
РОХС:
YES
SI3442BDV-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика:
6-TSOP
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.8V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
5 nC @ 4.5 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
860mW (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
57mOhm @ 4A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
295 pF @ 10 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:27091
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.24
720
6000
0.22
1320
9000
0.21
1890
30000
0.21
6300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.