Дистрибуция электронных компонентов
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Номер компонента:
IPP200N25N3GXKSA1
Альтернативная модель:
1ED44173N01BXTSA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED2184S06FXUMA1,2EDL23N06PJXUMA1,1EDF5673FXUMA1,2ED2110S06MXUMA1,GBO25-12NO1,IPP220N25NFDAKSA1,IMZ120R220M1HXKSA1,UCC28950QPWRQ1,SQM10250E_GE3,IPT210N25NFDATMA1,IPB200N25N3GATMA1,2508056017Y2,LT8304ES8E#PBF,PMEG4020ER-QX,UCC27324QDRQ1,BAT46W-E3-08,MAX13256ATB+T,HSC-10,STP50NF25
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
РОХС:
YES
IPP200N25N3GXKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
250 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
64A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
86 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
7100 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
300W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PG-TO220-3
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7523
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
9.09
9.09
50
7.25
362.5
100
6.49
649
500
5.72
2860
1000
5.15
5150
2000
4.83
9660
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.