Дистрибуция электронных компонентов
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Номер компонента:
2N7002ET1G
Альтернативная модель:
2N7002ET3G,2N7002ET7G,BAT54HT1G,0878311420,BC856BLT1G,DMN63D8L-7,B540C-13-F,LTST-C171GKT,0039281063,DCX124EK-7-F,SZMM3Z12VST1G,MM3Z3V6T1G,US1M-13-F,LTST-C171KGKT,1050170001,CSD25402Q3A,BZT52C16-7-F
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
РОХС:
YES
2N7002ET1G Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
260mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
0.81 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
26.7 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
300mW (Tj)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:517760
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.04
120
6000
0.04
240
9000
0.03
270
30000
0.03
900
75000
0.03
2250
150000
0.02
3000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.