Дистрибуция электронных компонентов
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Номер компонента:
IRFB4229PBF
Альтернативная модель:
1ED44173N01BXTSA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED2184S06FXUMA1,2EDL23N06PJXUMA1,1EDF5673FXUMA1,2ED2110S06MXUMA1,IRFB4127PBF,IRFB4227PBF,IRFP4227PBF,LM555CM/NOPB,MC33078DR,IRS20957STRPBF,IPP600N25N3GXKSA1,SIHA20N50E-GE3,MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1,IR2156STRPBF,ISOW7841FDWER,IRS21531DSTRPBF,IRF5210PBF,IRFP4332PBF,RF2001T4S
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
РОХС:
YES
IRFB4229PBF Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет устройств поставщика:
TO-220AB
Пакет/кейс:
TO-220-3
ВГС (Макс):
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
250 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
330W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
46A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
46mOhm @ 26A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4560 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2177
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.8
3.8
50
3.01
150.5
100
2.59
259
500
2.29
1145
1000
1.96
1960
2000
1.85
3700
5000
1.77
8850
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.