Дистрибуция электронных компонентов
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Номер компонента:
SI2308BDS-T1-GE3
Альтернативная модель:
67997-210HLF,SMAJ24A,SI2308CDS-T1-GE3,SI2309CDS-T1-E3,SSC54-E3/57T,SI2308BDS-T1-E3,MBR0580S1-7,SI2309CDS-T1-GE3,BZT52C10-E3-08,742792040,SI4401DDY-T1-GE3,MMBT3906LT1G,LTST-C190KGKT,BC846B,215,SI2333DS-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
РОХС:
YES
SI2308BDS-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
6.8 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
156mOhm @ 1.9A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
190 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:54077
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.2
600
6000
0.19
1140
9000
0.18
1620
30000
0.17
5100
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.