Дистрибуция электронных компонентов
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7852ADP-T1-GE3
Альтернативная модель:
CSD25402Q3A,DMTH8012LPSW-13,SI3440DV-T1-GE3,TSM340N06CP ROG,CSD17313Q2,PETC-04-12-04-01-T-VT-LC,LT3724EFE#PBF,MF-GSMF300/36X-2,LTC7003EMSE#TRPBF,SMF12A-M3-08,3586KTR,BSC123N08NS3GATMA1,DMTH10H010LCTB-13,0997020.WXN,0997010.WXN
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7852ADP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
45 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
80 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
8V, 10V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1825 pF @ 40 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:10199
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.08
3240
6000
1.03
6180
9000
1
9000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.