Дистрибуция электронных компонентов
SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Номер компонента:
SIA456DJ-T1-GE3
Альтернативная модель:
NCV7520MWTXG,SI4090DY-T1-GE3,SIA446DJ-T1-GE3,NRVTSA4100T3G,TPN2010FNH,L1Q,SI4056DY-T1-GE3,SIS892DN-T1-GE3,SIB456DK-T1-GE3,V2P6-M3/H,ADUM7441CRQZ-RL7,SI4816BDY-T1-GE3,XLUGR34M,SISB46DN-T1-GE3,MBR1H100SFT3G,SI7818DN-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
РОХС:
YES
SIA456DJ-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
ВГС (Макс):
±16V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.6A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.4V @ 250µA
Пакет/кейс:
PowerPAK® SC-70-6
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SC-70-6
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
350 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:17800
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.41
1230
6000
0.39
2340
9000
0.37
3330
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.