Дистрибуция электронных компонентов
SI4126DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Номер компонента:
SI4126DY-T1-GE3
Альтернативная модель:
LTC4353IMS#PBF,TMP435ADGSR,LM3150MH/NOPB,IRF7862TRPBF,SS36-E3/57T,FMMT624TA,LTC2977IUP#PBF,LFSPXO066657,EXC-34CG900U,LT1511CSW#PBF,LT4295HUFD#PBF,DG211BDY-T1-E3,ECS-2018-500-BN,ADUM1281BRZ-RL7,ACS732KLATR-75AB-T
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
РОХС:
YES
SI4126DY-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
39A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.75mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4405 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5462
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
1.18
2950
5000
1.13
5650
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.