Дистрибуция электронных компонентов
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7489DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
ADC128S102CIMT,SIR871DP-T1-GE3,B260S1F-7,BSS123LT1G,SI7489DP-T1-E3,MAX16833CAUE+,BZT52H-C18,115,MINIASMDC030F-2,SMF33A-E3-18,SIR870DP-T1-GE3,N2510-6002-RB,LTST-C190KGKT,SI7115DN-T1-GE3,SN74LVC1G17DBVR,LT3754EUH#PBF
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7489DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
28A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
160 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
41mOhm @ 7.8A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4600 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:9549
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.27
3810
6000
1.22
7320
9000
1.18
10620
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.