Дистрибуция электронных компонентов
SI7818DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7818DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
SIA432DJ-T1-GE3,RCLAMP0582BQTCT,DF1510S-T,FDC86244,DF1510S,FQT1N60CTF-WS,SI7818DN-T1-E3,TPN5900CNH,L1Q,ADR01BRZ,FDMC86248,BSZ900N15NS3GATMA1
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7818DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Напряжение стока к источнику (Vdss):
150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
135mOhm @ 3.4A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7294
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.73
2190
6000
0.69
4140
9000
0.66
5940
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.