Дистрибуция электронных компонентов
SSM6K211FE,LF
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Номер компонента:
SSM6K211FE,LF
Альтернативная модель:
BSZ039N06NSATMA1,SSM6J212FE,LF,EPC2204,CLP-103-02-G-D-TR,BSZ031NE2LS5ATMA1,SI1026X-T1-GE3,CPDU5V0,AD5592RBCPZ-RL7,ECS-1612MV-240-CN-TR,BQ771600DPJT,LTC3459ES6#TRMPBF,DMP2160UW-7,LMP8481MM-H/NOPB,INA280A3IDCKR,S1731-46R
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
РОХС:
YES
SSM6K211FE,LF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±10V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.5V, 4.5V
Пакет/кейс:
SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика:
ES6
Рассеиваемая мощность (макс.):
500mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.2A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
510 pF @ 10 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
10.8 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
47mOhm @ 2A, 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
4000
0.15
600
8000
0.14
1120
12000
0.13
1560
28000
0.13
3640
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.