Дистрибуция электронных компонентов
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7119DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
ABM8AIG-20.000MHZ-12-2Z-T3,SIL2324A-TP,DLW31SH222SQ2L,20021121-00006C1LF,BC847B,215,PEC2605C2A_R1_00001,ECS-327ATQMV-AS-TR,NCP161ASN330T1G,XZCM2MOK53WA-1VF,009176001873906,ERT-J0EG103FM,SQJ431AEP-T1_BE3,009176002863906,M24256-DRDW3TP/K,S7161-45R
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7119DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Рабочая Температура:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.8A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.05Ohm @ 1A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
666 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:43454
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.44
1320
6000
0.42
2520
9000
0.4
3600
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.