Дистрибуция электронных компонентов
FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Номер компонента:
FDMS86201
Альтернативная модель:
SZESD7205WTT1G,NCV8705MT33TCG,691210910003,XC3S50A-4VQG100I,FDS86267P,GRPB061VWVN-RC,RB706D-40FHT146,744272251,NVTR0202PLT1G,LMR14020SDDAR,LNCF001-8M,NSVBAS21HT1G,0ZCG0150BF2C,BCR135E6327HTSA1,M2103-3005-AL
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
РОХС:
YES
FDMS86201 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
46 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
8-PQFN (5x6)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
120 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2735 pF @ 60 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:12739
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.29
3870
6000
1.23
7380
9000
1.2
10800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.