Дистрибуция электронных компонентов
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Номер компонента:
IRFH8318TRPBF
Альтернативная модель:
IRFH8318TR2PBF,870055774002,CY14B101Q2-LHXIT,BSC028N06LS3GATMA1,NSR0320MW2T1G,HSMG-C170,IRFR6215TRPBF,T523H477M016APE070,LM5175RHFR,SS16HE,8134-HC-5P2,LP3856ESX-3.3/NOPB,IR35411MTRPBFAUMA1,M24C04-WMN6P,IRS2005STRPBF,IRS10752LTRPBF,1EDI60N12AFXUMA1,1ED44173N01BXTSA1,6EDL04N02PRXUMA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED24427N01FXUMA1,2EDF7275KXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
РОХС:
YES
IRFH8318TRPBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
41 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.1mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
27A (Ta), 120A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.35V @ 50µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3180 pF @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PQFN (5x6)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:17470
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
4000
0.37
1480
8000
0.35
2800
12000
0.33
3960
28000
0.32
8960
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.