Дистрибуция электронных компонентов
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Номер компонента:
FDD18N20LZ
Альтернативная модель:
FQB5N90TM,FQD7P20TM,5.0SMDJ9.0AS,2SCR572D3FRATL,NRVUA160VT3G,SB53AFC-AU_R1_000A1,LVR005NS,STUSB4710AQ1TR,FDB52N20TM,NVTFS5124PLTAG,BAT54CW-7-F,FDD120AN15A0,FDD7N25LZTM,AOD2210,NRVB2H100SFT3G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
РОХС:
YES
FDD18N20LZ Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика:
TO-252AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
16A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
5V, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
89W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1575 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
125mOhm @ 8A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:20946
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.89
2225
5000
0.86
4300
12500
0.83
10375
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.