Дистрибуция электронных компонентов
FDMS86500L
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Номер компонента:
FDMS86500L
Альтернативная модель:
MBR0540-TP,PBC01SAAN,LTC7004IMSE#PBF,TPSMD36CA,NB7NPQ7222MMUTXG,LTC7004EMSE#PBF,SN74HCT14QPWRQ1,LTC7004MPMSE#PBF,TPSM265R1V5SILR,YAT-1A+,LTC7004EMSE#TRPBF,ISC0702NLSATMA1,AONS66966,FDMS86500DC,NLVVHC1G08DFT2G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
РОХС:
YES
FDMS86500L Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
8-PQFN (5x6)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
165 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.5mOhm @ 25A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
25A (Ta), 80A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
12530 pF @ 30 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:8082
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.31
3930
6000
1.25
7500
9000
1.21
10890
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.