Дистрибуция электронных компонентов
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7615ADN-T1-GE3
Альтернативная модель:
BC816-16WF,TCN4158M006R0055E,FTSH-105-01-F-DV-K,SN65HVD1781QDRQ1,LTC4091EDJC#TRPBF,150120RS75000,MMBT5401-7-F,SI7149ADP-T1-GE3,SIZ340DT-T1-GE3,TPS61088RHLR,SISS65DN-T1-GE3,AON6411,RF4E110GNTR,TPS63070RNMR,SIS443DN-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7615ADN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.5V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
4.4mOhm @ 20A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
183 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5590 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:66555
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.3
900
6000
0.29
1740
9000
0.26
2340
30000
0.26
7800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.