Дистрибуция электронных компонентов
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Номер компонента:
TK100E10N1,S1X
Альтернативная модель:
AS5147P-HTSM,TK100E08N1,S1X,TMS320F28069FPZT,TK110E10PL,S1X,TK2R9E10PL,S1X,CSD19533KCS,2157601003,TK160F10N1L,LXGQ,TK100E06N1,S1X,2157591003,CSD19533Q5A,TK3R9E10PL,S1X,1054302102,CSD19534KCS,TK3R2A10PL,S4X
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
РОХС:
YES
TK100E10N1,S1X Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
TO-220-3
Пакет устройств поставщика:
TO-220
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Рассеиваемая мощность (макс.):
255W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
100A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
140 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.4mOhm @ 50A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
8800 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5960
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
4.21
4.21
50
3.33
166.5
100
2.86
286
500
2.54
1270
1000
2.18
2180
2000
2.05
4100
5000
1.97
9850
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.