Дистрибуция электронных компонентов
SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Номер компонента:
SSM6J215FE(TE85L,F
Альтернативная модель:
BSZ039N06NSATMA1,TC7SET17FU,LJ(CT,SSM3J340R,LF,CLP-103-02-G-D-TR,LMP8481MM-H/NOPB,NCP716BCSN330T1G,SI1026X-T1-GE3,STM32G0B1CEU6,SSM6K211FE,LF,INA280A3IDCKR,SI2369DS-T1-GE3,LM74801QDRRRQ1,0522070560,EPC2204,BQ771600DPJT
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
РОХС:
YES
SSM6J215FE(TE85L,F Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.5V, 4.5V
Пакет/кейс:
SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика:
ES6
Рассеиваемая мощность (макс.):
500mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.4A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
630 pF @ 10 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
10.4 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
59mOhm @ 3A, 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
4000
0.12
480
8000
0.11
880
12000
0.1
1200
28000
0.1
2800
100000
0.09
9000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.