Дистрибуция электронных компонентов
CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Номер компонента:
CSD13201W10
Альтернативная модель:
BLM15PX601SN1D,DF40GB(3.0)-48DS-0.4V(58),TF31-24S-0.5SH(800),CSD23202W10,VLMU1610-365-135,DF2B6.8M1ACT,L3F,IS25WP128-JLLE,TPS3899DL28DSER,CSD25213W10,IS25WP128-JKLE,ECS-120-12-36-AGN-TR3,CSD17483F4,ESD108B1CSP0201XTSA1,RP604K331A-TR,DP83826ERHBR
Производитель:
Texas Instruments
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
РОХС:
YES
CSD13201W10 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.2W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
12 V
ВГС (Макс):
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.1V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.6A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
2.9 nC @ 4.5 V
Пакет устройств поставщика:
4-DSBGA (1x1)
Пакет/кейс:
4-UFBGA, DSBGA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 1A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
462 pF @ 6 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:42998
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.14
420
6000
0.13
780
9000
0.12
1080
30000
0.12
3600
75000
0.11
8250
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.