Дистрибуция электронных компонентов
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Номер компонента:
TK31V60X,LQ
Альтернативная модель:
TK099V65Z,LQ,IPL60R085P7AUMA1,IRSM808-204MHTR,IRSM808-105MHTR,STL220N6F7
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
РОХС:
YES
TK31V60X,LQ Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
ВГС (Макс):
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
65 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
240W (Tc)
Пакет/кейс:
4-VSFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика:
4-DFN-EP (8x8)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3000 pF @ 300 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
98mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 1.5mA
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:25447
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
2.66
6650
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.