Дистрибуция электронных компонентов
SPP11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Номер компонента:
SPP11N80C3XKSA1
Альтернативная модель:
PTC15MV18-104A2020,BSZ063N04LS6ATMA1,BSZ0506NSATMA1,IPA80R450P7XKSA1,BSC010NE2LSIATMA1,IPP80R450P7XKSA1,WP7113SGD,STP20N90K5,IPP60R190C6XKSA1,SPW11N80C3FKSA1,SPA17N80C3XKSA1,SPA11N80C3XKSA1,1-1624117-0,STP20N95K5,SPP06N80C3XKSA1,IRS44273LTRPBF,2EDN7524FXTMA1,1EDN8511BXUSA1,1ED44173N01BXTSA1,IRS4427STRPBF,IR2214SSTRPBF,1EDI20N12AFXUMA1,1ED3120MC12HXUMA1,1EDI20I12MFXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
РОХС:
YES
SPP11N80C3XKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
156W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
800 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO220-3-1
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
11A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1600 pF @ 100 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.9V @ 680µA
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5015
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.14
3.14
50
2.49
124.5
100
2.12
212
500
1.89
945
1000
1.62
1620
2000
1.53
3060
5000
1.46
7300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.