Дистрибуция электронных компонентов
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Номер компонента:
FDB3632
Альтернативная модель:
FDMS86101,LTC4357CMS8#PBF,STB120NF10T4,112J-TDAR-R01,FDBL0150N80,IRFS4410ZTRLPBF,IRF1310NSTRLPBF,LTC4364HMS-2#PBF,LTC1400IS8#PBF,ISO1540DR,2920L110/60MR-A,PSMN8R7-80BS,118,IPB083N10N3GATMA1,PIC18F24K40-I/MV,4700-008MLF
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
РОХС:
YES
FDB3632 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
310W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
6000 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 80A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Ta), 80A (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
2.01
1608
1600
1.72
2752
2400
1.62
3888
5600
1.55
8680
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.