Дистрибуция электронных компонентов
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Номер компонента:
FDN352AP
Альтернативная модель:
FT230XQ-R,IRF7807ZTRPBF,BSS316NH6327XTSA1,HCPL-181-00BE,2N7002L,FDN352AP,5988070107F,FDMS3669S,FDN5618P,FDN359AN,9774040151R,NVTR0202PLT1G,FDN360P,IRF7342TRPBF,U.FL-R-SMT-1(10)
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
РОХС:
YES
FDN352AP Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
ВГС (Макс):
±25V
Рассеиваемая мощность (макс.):
500mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.3A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
150 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 1.3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
1.9 nC @ 4.5 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:88546
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.17
510
6000
0.15
900
9000
0.14
1260
30000
0.14
4200
75000
0.13
9750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.